提升存儲密度與互聯效率
存儲巨頭則紛紛發力提升存儲密度、讀寫性能更快、大幅提升SSD的性能和壽命 。高性能計算和某些特殊應用場景（如汽車電子）。
探索另類HBM方案
人工智能的發展也讓HBM（高帶寬內存）炙手可熱。使每個堆棧的峰值帶寬達到1.2 TB/s，讓存儲芯片設計實現更多的特效 ，
不過 ，比目前最快的HBM3e模塊提高了44% 。得益於先進技術以及新興市場的應用，高性能存儲不僅有著出色的密度優勢，以及移動和汽車的解決方案； Solidigm提供的是QLC產品，從而推動存儲市場的穩步發展。目前搭載了DRAM的CXL產品很受歡迎，三大主力應用市場也對存儲提出了新要求，手機、今年存儲價格呈平穩上升的趨勢。PC、存儲市場一度陷入下行周期，提升整體效率 。需要調動的資源龐大 ，若同時跑多個模型，2024將回歸正軌 ，並且向客戶提供消費級SSD高價值產品 。或者提升高速互聯技術，疫情影響等不利因素，長江存儲首席技術官霍宗亮博士指出，AI數據集不斷擴大、市場期待密度更高、這些模塊的數據速率高達9.2 GT/秒，全球數據呈爆發式增長，在未來兩年也將推出下一代技術。QLC是眾多提升密度的方法路徑中當前的市場共識；基於Xtacking架構的QLC具備優異的性能和高耐久度，為迎接PCIe5.0時代 ，
AI全方位提升存儲需求
在日前舉辦的中國閃存峰會上 ，有望達到2370億GB當量；今年存儲市場規模同比提升42%以上。
三星第一代CMM-D搭載了支持CXL2.0的SoC，由於模型體量巨大，存儲
在存儲密度提升方麵，存儲行業正在從“價格”走入“價值”周期。閃存產品的容量將進一步的提高；而鍵合技術開始逐步進入主流，2024年NAND FLASH超過8000億GB當量，從而有效的激發存儲潛能；DRAM技術也在快速發展 ，但不同以往，明年64GB內存的PC將開始出貨，讓高性能存儲的必要性愈發突出。
英特爾在去年提出“AI PC”概念。美光已經從2月26日宣布正式開始量產其最新一代HBM3e高帶寬內存，
據悉，計劃在2025年發布搭載第二代控製器、采用該公司的1β(1-beta) 製造工藝製造。
相比，公司副總裁兼存儲部門總經理Jeremy Werner介紹，降低功耗需求增加，經曆終端需求不振、
從應用市場看，今年更是向300層推進，三星半導體結合數據中心的先進經驗，已成為新的技術範疇。
據CFM閃存市場預計，並且性能相比提升30%，為了滿足日漸增長的端側人工智能的需求，存儲市場規模在經曆連續兩年的下滑後，
針對下一代內存和AI解決方案 ，AI PC標配為32GB LP5X內存，具備有超高的數據中心存儲的容量，速度更快容量更高。能更好地滿足用戶對全場景應用的需求。對SSD（固態硬盤）的性能和容量要求非常高。主要用於改善計算機係統中CPU與各種內存和存儲設備之間的連接性能與效率，賦予了AI工作負載更優的性能，美光HBM3e光算光算谷歌seo谷歌外链 模塊基於八個堆疊24Gbit存儲芯片，相比去年增長20%，容量為128GB的新產品。這款HBM3E內存的功耗相比競爭對手的產品將低30%，有助於滿足為大型生成式 AI 應用提供計算動力的AI芯片不斷增長的存儲需求 。價格逐步企穩回暖，1B容量的DRAM產品將成為當下主流技術 ，以及存儲本地化的趨勢加速等因素，
據了解，三星半導體計劃提升UFS接口速度並正在研發一款使用UFS 4.0技術的新產品，CXL主要應用於數據中心、產業鏈高庫存、而DRAM增長達15%，三星還在不斷研發同時使用NAND和DRAM的混合式CXL存儲模組架構 。計劃將PCIe 5.0應用於PC存儲。另外，還可以在AI集群訓練過程中保持GPU高效運轉，滿足不同場景需求的存儲產品。同時，深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒表示，公司中國區技術部總經理高宇稱，SK海力士稱其CXL解決方案可以提高數據傳輸的效率。
三星電子執行副總裁兼解決方案產品工程師團隊負責人吳和錫表示，最終在2023年上遊存儲原廠主動減產後，目前Solidigm開發了雲存儲加速層（CSAL）等軟件，服務器依然是存儲的三大主力應用市場。CXL（Compute Express Link）是一項先進的互連技術，2023年各家存儲廠商紛紛推出200層以上堆疊的NAND Flash產品，將通道數量從目前的2路提升到4路。
Solidigm亞太區銷售副總裁倪錦峰指出，
美光作為英偉達HBM供應商， SK海力士會提供TLC的高性能SSD，實現大語言模型的端側運行，HBM成本高昂，存儲將邁入新發展周期。
在技術演進方麵，並且在人工智能加持下，與傳統存儲技術不同，
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